Новые драйверы для управления IGBT-транзисторами

Для правильного обеспечения закрытия и открытия IGBT-транзисторов необходимо применение специальных высоковольтных микросхем-драйверов (HVIC - High Voltage Integrated Circuit). Они позволяют создать требуемый перепад напряжения между коллектором, находящимся под напряжением несколько сотен вольт, и затвором. Кроме того, драйвера обеспечивают высокий ток (несколько ампер) для быстрой перезарядки паразитных емкостей транзистора, что обеспечивает меньшие потери энергии при переключении транзисторов.

Сверхбыстрые 1200V IGBT 7-го поколения от International Rectifier

В конце 2011 года компания International Rectifier выпустила на мировой рынок новую линейку надежных и эффективных IGBT 1200 В, предназначенных для широкого круга приложений: индукционных нагревателей, сварочных аппаратов, высокомощных выпрямителей, бесперебойных источников питания, солнечных батарей и других.

Новые MOSFET в корпусе SOT-23

Серия MOSFET в корпусе SOT-23 изначально не была предназначена для мощных применений, поскольку возможности для рассеивания тепла у корпуса очень скромны. Однако значительное уменьшение сопротивления ключа в открытом состоянии позволило значительно расширить диапазон коммутируемых токов. В сочетании с малой ценой этот тип корпуса стал особенно привлекателен для использования в мобильном секторе и для бюджетных маломощных преобразователей напряжения.

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Новые корректоры коэффициента мощности

Цель использования корректора коэффициента мощности – сделать так, чтобы вход источника питания со стороны сети «выглядел» чисто активным сопротивлением. Отличие корректоров коэффициента мощности (ККМ) IR115xS компании International Rectifier от изделий этого типа других производителей – упрощающий схемотехнику режим One Cycle Control, запатентованный IR.

Высоковольтные драйверы мощных светодиодов

Как один из ведущих мировых производителей специализированных модулей и микросхем питания, компания International Rectifier не могла остаться в стороне от вопросов питания сверхъярких мощных светодиодов. В статье рассматриваются высоковольтные полумостовые драйверы IRS2541 и IRS2540, предназначенные для этих целей.

Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET

Объединив преимущества технологии корпусирования DirectFET и технологии TrenchFET Gen10.59, компания IR приступила к началу производства нового поколения МОП-транзисторов DirectFET-2. Обновление номенклатуры коснулось диапазона напряжений «сток-исток» 25...30 В. Транзисторы нового поколения производятся в тех же корпусах, что позволяет произвести модернизацию и поднять КПД преобразования без изменения печатной платы.

Микросхемы драйверов затворов МОП и IGBT транзисторов

Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних, полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и трехфазных схем включения.

Новинки MOSFET в стандартных корпусах

В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.

НОВАЯ СЕРИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ IRFP4XXX С УЛЬТРАНИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ КАНАЛА

Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, - уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Все они выпускаются в стандартном популярном корпусе TO-247AC, что позволяет существенно снизить стоимость готового устройства.
 

Новые P- и N- MOSFET от 30В до 100В компании IR в корпусе SOT-23

International Rectifier представил семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусе SOT-23, предназначенных для различного применения, например, в переключателях аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки, электроприводах, телекоммуникационном оборудовании и других применениях.

Удобный инструмент для выбора IGBT транзисторов

В качестве критериев поиска используются такие принципиальные параметры, как:
• конфигурация транзисторов: дискретные и с диодом
• тип монтажа: в отверстие или на плату
• напряжение шины и номинальное напряжение транзистора
• частота переключения
• максимальный ток и др.

Новые N-канальные MOSFET-транзисторы в корпусах общепромышленного стандарта

Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в разработке и производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной особенностью MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание ультранизкого сопротивления открытого канала и высокие динамические характеристики. В статье рассматриваются новые изделия, пополнившие линейку N-канальных MOSFET в последнее время.

НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ НИЗКОВОЛЬТНЫХ MOSFET-ТРАНЗИСТОРОВ В КОРПУСАХ SO-8, PQFN И DIRECTFET

Обновленная линейка низковольтных силовых MOSFET-транзисторов компании International Rectifierвыполнена по улучшенной технологии Trench FET Gen10.59 и с использованием современных технологий корпусирования. Их применение позволит выполнить самые жесткие требования к эффективности и себестоимости конечного решения.

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕЛЕ КОМПАНИИ INTERNATIONAL RECTIFIER

Реле (и электромеханические, и полупроводниковые) в качестве электрически управляемых переключателей с изолированными цепями управления и коммутации и сегодня являются функционально необходимыми элементами для многих электронных устройств. В данной статье рассматривается линейка полупроводниковых (оптоэлектронных) реле, выпускаемых компаниейInternational Rectifier.

IGBT Полумостовые модули VISHAY / IR

Серия полумостовых IGBT модулей Vishay на 600 и 1200 В в стандартных корпусах Int-A-Pak предназначена для жестких условий переключений на высоких частотах до 1 или 60 кГц.

HEXFET - Cиловые МОП-транзисторы компании International Rectifier

N-канальные
Р-канальные
Сборка. 2 N-канальных
Сборка. 2 Р-канальных
Сборка. 1 N-канальный / 1 Р-канальный
Fetky - сборка МОП-транзистор и диод шоттки

ДИОДЫ ШОТТКИ INTERNATIONAL RECTIFIER

Диод Шоттки (также правильно Шотки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов).

МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ HEXFET

HEXFET - Cиловые МОП-транзисторы компании International Rectifier
International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет новые N – канальные полевые транзисторы в диапазоне напряжений от 60 В до 200 В, изготовленные по технологии trench HEXFET® Power MOSFETs.
Они характеризуются высоким постоянным током стока и предназначены для промышленных батарей, блоков питания, мощных двигателей постоянного тока, электроинструмента.

 

СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ

Тиристоры как коммутационные элементы в настоящее время испытывают жесткую конкуренцию среди прочих силовых полупроводников, в т.ч. транзисторы MOSFET и IGBT. Это связано не только с улучшенными техническими и функциональными возможностями схем на указанных транзисторах, но и с непрерывно ужесточающимися требованиями к электромагнитной совместимости. Тем не менее, еще существует ряд применений, где использование тиристоров как минимум более выгодно по экономическим соображениям, а порой и безальтернативно.